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10月15日消息，自去年下半年以來，功率器件的供應(yīng)一直處于緊缺當(dāng)中，特別是MOSFET尤為緊缺。近日，拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布了一份關(guān)于MOSFET市場的研究，認(rèn)為隨著市場需求的提升，2022年整體MOSFET市場規(guī)模將首度達(dá)到100億美元，但是目前MOSFET交貨期最長仍高達(dá)52周。

IGBT是由MOS和BJT組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有驅(qū)動(dòng)功率小、壓降低和載流密度小等優(yōu)勢。IGBT是公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命代表性產(chǎn)品，是工控及自動(dòng)化領(lǐng)域核心元器件，其作用類似于心臟，能夠根據(jù)裝置中信號(hào)指令來調(diào)節(jié)電壓、電流、頻率、相位等，被稱為電力電子行業(yè)的“CPU”，主要分為工業(yè)級、軍用級、車規(guī)級三大類，在軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)、家電、航空航天等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了廣泛應(yīng)用。按照電壓范圍，軌道交通、智能電網(wǎng)等主要應(yīng)用大容量高壓IGBT，而家電、新能源汽車等則應(yīng)用中低壓IGBT。

IGBT和MOSFET同為充電樁必不可少的功率開關(guān)器件，被稱之為新能源汽車充電樁的“心臟”，但是兩者的使用卻存在著“爭議”。